专用数据记录存储设备可以立即捕获并可靠地存储关键数据数十年，而随着汽车事件数据记录器（EDR）市场不断发展，市场对数据记录存储设备的需求也不断上涨。

据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）为其EXCELON™ F-RAM系列推出两款密度为1Mbit和4Mbit的新型铁电RAM（F-RAM）存储器件。该1Mbit器件是业界首款符合汽车标准的F-RAM系列。

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这些新器件符合AEC-Q100 1级标准，支持扩展的温度范围（-40°C至+125°C），补充了密度从4Kbit到16Mbit的汽车F-RAM产品组合。这些器件具有快速且高度可靠的读/写性能，在SPI模式下速度高达50 MHz，在Quad SPI（QSPI）模式下速度高达108 MHz，并且具有10万亿次读/写周期的耐用性，支持10微秒的数据记录，可持续使用20年。

英飞凌RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示：“随着电子系统更广泛的使用，以及行业法规鼓励在安全气囊安全系统以及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠性非易失性存储器，汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长。随着需要数据记录的应用不断增加，对针对特定用例定制的内存密度的需求也在增长。 英飞凌致力于为我们的客户提供灵活性，以满足各种系统设计的内存架构要求。”

EXCELON F-RAM的零延迟写入功能允许在事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一刻捕获和记录系统数据。这两款新器件均采用串行（SPI/QSPI）接口，具有F-RAM的超低功耗特性，工作电压范围为1.8V至3.6V，并采用标准8引脚SOIC封装。除了卓越的耐用性外，英飞凌的F-RAM还可在断电后保留数据100多年。