盖世汽车讯 8月1日，半导体行业存储技术开发商Weebit Nano Limited宣布其推出的电阻式随机存取存储器（ReRAM）模块已完全符合汽车1级非易失性存储器（NVM）的指定温度要求，即125℃。这证明Weebit ReRAM适用于微控制器和其它汽车组件以及高温工业和物联网应用。

本次温度测试使用Weebit演示芯片，该芯片由研发合作伙伴CEA-Leti根据JEDEC非易失性存储器行业标准进行制造。此类标准是从三个独立晶圆批次中盲选许多硅芯片进行严格测试。

大多数用于消费和工业应用的芯片需要在0至 85 ℃的温度条件下进行长达 10 年的测试。针对先进汽车部件的测试则更为严格，需要在更高温度下进行 10 年或更长时间的合格测试，且不能出现任何故障。所有Weebit芯片都成功通过了在125℃下为期10年的整套合格测试，证明Weebit的嵌入式ReRAM IP的质量和可重复性达标，可在需要高温及可靠性的应用中使用。

图源来自Weebit Nano官网

Weebit Nano首席执行官 Coby Hanoch 表示：“成功通过鉴定属于Weebit Nano一个项目，通过该项目，我们将把ReRAM（RRAM）技术扩展到更高的温度、更长的保持时间和更高的耐用性水平。我们在与一级代工厂和半导体公司的讨论过程中发现他们对我司用于汽车和工业应用的ReRAM越来越感兴趣。能够证明Weebit ReRAM在高温下的弹性程度将继续推动讨论进程。我们相信与其他新兴的非易失性存储器（NVM）相比，ReRAM是汽车和工业应用的更好选择，这得益于其优越的高温性能、低复杂性、高成本效益和其他诸如对辐射和电磁干扰耐受性等优势。"

Yole集团旗下Yole Intelligence公司内存部门首席技术与市场分析师Simone Bertolazzi表示：“嵌入式ReRAM在编程时间、耐用性和功耗等性能指标方面都优于闪存，是汽车应用的理想选择。由于主要代工厂和领先汽车MCU供应商的需求量增加，嵌入式ReRAM晶圆的数量预计将在2022年至2028年期间以大于80%的年复合增长率增长。在这一大背景下，Weebit的ReRAM 能够以较低成本上升至先进工艺节点，而现代汽车芯片正是基于这些工艺节点所设计的。

Weebit Nano与行业领导者携手为这一不断增长的市场开创了电阻式存储器技术，为芯片设计人员提供了机会，助力创建性能、功耗和成本更加平衡的汽车电路。

Weebit ReRAM演示芯片由用于嵌入式应用的完整子系统组成，包括Weebit ReRAM模块、RISC-V 微控制器 (MCU)、系统接口、存储器和外设。ReRAM 模块包括128KB 1T1R ReRAM阵列、控制逻辑、解码器、IO（输入/输出通信元件）和纠错码 (ECC)。它采用独特的正在申请专利的模拟、数字电路设计和运行智能算法，大大提高存储器阵列的技术参数。Weebit将继续与CEA-Leti和 SkyWater Technology合作，将其ReRAM模块的认证扩展到更高的温度和耐用性水平。